R1RW0416DSB-2PI#D1
![qualità [#varpname#] fabbrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
RENESAS
Descrizione:
R1RW0416D-I - Ampia temperatura R
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
R1RW0416DI
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
12ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
44-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
RENESAS
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Confezione / Cassa:
44-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
256K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Tempo di accesso:
12 n
Formato di memoria:
SRAM
Introduzione
SRAM - Memoria asincrona IC 4 Mbit Parallela 12 ns 44-TSOP II
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