HYB25L512160AC-7.5 bobina
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fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Dimensione della memoria:
512Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
14ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
54-FBGA (8x12)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza dell'orologio:
133 MHz
Voltaggio - Fornitura:
2.3V ~ 3.6V
Confezione / Cassa:
54-LFBGA
Organizzazione della memoria:
32M x 16
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR mobile
Tempo di accesso:
6 ns
Formato di memoria:
DRAM
Introduzione
SDRAM - Memoria LPDDR mobile IC 512Mbit parallelo 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)
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Stoccaggio:
MOQ: