71V65803S100BGG8
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fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
IC SRAM 9MBIT PAR 119PBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
119-PBGA (14 x 22)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Frequenza dell'orologio:
100 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
5 ns
Confezione / Cassa:
119-BGA
Organizzazione della memoria:
512K x 18
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 70°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, SDR (ZBT)
Numero del prodotto di base:
71V65803
Formato di memoria:
SRAM
Introduzione
SRAM - Memoria sincrona SDR (ZBT) IC 9Mbit parallelo 100 MHz 5 ns 119-PBGA (14x22)
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Stoccaggio:
MOQ: