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IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR

fabbricante:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Descrizione:
IC SRAM 8MBIT PARALLELO 44TSOP II
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
8ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
44-TSOP II
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Dimensione della memoria:
8Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.4V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
8 ns
Confezione / Cassa:
44-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
512K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Asincrono
Numero del prodotto di base:
IS61WV51216
Formato di memoria:
SRAM
Introduzione
SRAM - Memoria asincrona IC 8Mbit parallela 8 ns 44-TSOP II
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Stoccaggio:
MOQ: