CY14V116N-BZ30XI
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fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
30ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
165-FBGA (15x17)
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Infineon Technologies
Dimensione della memoria:
16Mbit
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
30 ns
Confezione / Cassa:
165-LBGA
Organizzazione della memoria:
1M x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
CY14V116
Formato di memoria:
NVSRAM
Introduzione
NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 16Mbit Parallelo 30 ns 165-FBGA (15x17)
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Stoccaggio:
MOQ: