EM6HE08EW3F-12H
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fabbricante:
Etron Technology, Inc.
Descrizione:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Dimensione della memoria:
4Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15 ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
78-FBGA (9x10.6)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Etron Technology, Inc.
Frequenza dell'orologio:
800 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.283V ~ 1.45V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
78-TFBGA
Organizzazione della memoria:
512M x 8
Temperatura di funzionamento:
0°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - DDR3L
Numero del prodotto di base:
EM6HE08
Formato di memoria:
DRAM
Introduzione
SDRAM - CI di memoria DDR3L 4Gbit Parallelo 800 MHz 20 ns 78-FBGA (9x10.6)
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