Casa > prodotti > Memoria > MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

fabbricante:
Micron Technology Inc.
Descrizione:
IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Dimensione della memoria:
4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2)
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
162-VFBGA (10.5x8)
Tipo di memoria:
Non volatile, volatile
Mfr:
Micron Technology Inc.
Frequenza dell'orologio:
533 megahertz
Voltaggio - Fornitura:
1.8V
Confezione / Cassa:
162-VFBGA
Organizzazione della memoria:
128M x 32 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2)
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
Flash - NAND, DRAM - LPDDR2
Numero del prodotto di base:
MT29RZ4B4
Formato di memoria:
FLASH, RAM
Introduzione
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memoria IC 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) parallelo 533 MHz 162-VFBGA (10.5x8)
Prodotti correlati
Immagine parte # Descrizione
qualità [#varpname#] fabbrica

MT41K64M16TW-107 AIT: J

IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT4F4G08ABBFAH4-IT:F

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT3T2T2T2T2T2T2T2T2T2T2

LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
qualità [#varpname#] fabbrica

MT25QU512ABB8E12-0AUT TR

IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M416M412M412M416M416M4

IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT4sottosviluppo di infrastrutture

IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT2F2G16ABAEAWP-AIT:E

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
qualità [#varpname#] fabbrica

MT40A2G8SA-062E L'IT: F

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
qualità [#varpname#] fabbrica

MT2F1G16D1DS-023 IT:B

LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
qualità [#varpname#] fabbrica

MT2F1G08ABAEAWP-AATX:E

IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: