DS1250AB-100IND+
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Tubo
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
100ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
32-EDIP
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
4.75V ~ 5.25V
Tempo di accesso:
100 ns
Confezione / Cassa:
32-DIP modulo (0,600", 15.24mm)
Organizzazione della memoria:
512K x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
DS1250AB
Formato di memoria:
NVSRAM
Introduzione
NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 4Mbit Parallelo 100 ns 32-EDIP
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Stoccaggio:
MOQ: