IS61LPS51218A-200TQLI-TR
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fabbricante:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Descrizione:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Dimensione della memoria:
9Mbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
100 LQFP (14x20)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
ISSI, soluzione integrata inc del silicio
Frequenza dell'orologio:
200 MHz
Voltaggio - Fornitura:
3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso:
3.1 ns
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
512K x 18
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Sincrono, DSR
Numero del prodotto di base:
IS61LPS51218
Formato di memoria:
SRAM
Introduzione
SRAM - IC di memoria SDR sincrona 9Mbit parallelo 200 MHz 3.1 ns 100-LQFP (14x20)
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