W971GG8NB25I TR
![qualità [#varpname#] fabbrica](/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
Winbond Electronics
Descrizione:
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Dimensione della memoria:
1Gbit
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
SSTL_18
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
15 ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
60-VFBGA (8x9.5)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Winbond Electronics
Frequenza dell'orologio:
400 MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.7V ~ 1.9V
Tempo di accesso:
57.5 ns
Confezione / Cassa:
60-VFBGA
Organizzazione della memoria:
128M x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 95°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM-DDR2
Numero del prodotto di base:
W971GG8
Formato di memoria:
DRAM
Introduzione
SDRAM - DDR2 Memoria IC 1Gbit SSTL_18 400 MHz 57,5 ns 60-VFBGA (8x9,5)
Prodotti correlati
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: