CY14B104LA-ZS45XI
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fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Categoria:
Memoria
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
45ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
44-TSOP II
Tipo di memoria:
Non volatili
Mfr:
Infineon Technologies
Dimensione della memoria:
4Mbit
Voltaggio - Fornitura:
2.7V ~ 3.6V
Tempo di accesso:
45 ns
Confezione / Cassa:
44-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm)
Organizzazione della memoria:
512K x 8
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM non volatile)
Numero del prodotto di base:
CY14B104
Formato di memoria:
NVSRAM
Introduzione
NVSRAM (non volatile SRAM) Memoria IC 4Mbit Parallelo 45 ns 44-TSOP II
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Stoccaggio:
MOQ: